Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET, 41 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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219-6006
Référence fabricant:
IPP65R225C7XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

41A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

TO-220

Series

CoolMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

225mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.9V

Standards/Approvals

No

Width

15.95 mm

Height

4.57mm

Length

10.36mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolMOS C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.

Improved safety margin and suitable for both SMPS and solar inverter applications

Lowest conduction losses/package

Low switching losses

Better light load efficiency

Increasing power density

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