Infineon OptiMOS-TM5 Type N-Channel MOSFET, 74 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC072N08NS5ATMA1

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

10,98 €

(TVA exclue)

13,29 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 9 700 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 401,098 €10,98 €
50 - 901,043 €10,43 €
100 - 2401,021 €10,21 €
250 - 4900,956 €9,56 €
500 +0,89 €8,90 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
222-4620
Référence fabricant:
BSC072N08NS5ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

74A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

OptiMOS-TM5

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24nC

Maximum Power Dissipation Pd

69W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

6.1 mm

Height

1.2mm

Length

5.35mm

Automotive Standard

No

The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Superior thermal resistance 100% avalanche tested

Halogen-free according to IEC61249-2-23

Liens connexes