DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET, 192 mA, 65 V Enhancement, 3-Pin X1-DFN DMP68D0LFB-7B
- N° de stock RS:
- 222-2864
- Référence fabricant:
- DMP68D0LFB-7B
- Fabricant:
- DiodesZetex
Sous-total (1 paquet de 50 unités)*
6,50 €
(TVA exclue)
8,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 9 700 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 50 + | 0,13 € | 6,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 222-2864
- Référence fabricant:
- DMP68D0LFB-7B
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 192mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 65V | |
| Package Type | X1-DFN | |
| Series | DMP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.21W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 1.08mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.53mm | |
| Width | 0.68 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 192mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 65V | ||
Package Type X1-DFN | ||
Series DMP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.21W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 1.08mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.53mm | ||
Width 0.68 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The DiodesZetex P-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Low On-Resistance
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Liens connexes
- Diodes Inc DMP Plastic P-Channel MOSFET 65 V, 3-Pin X1-DFN1006 DMP68D0LFB-7B
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin X1-DFN1006 DMN62D1LFB-7B
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 20 V X1-DFN1006-3 DMP2900UFB-7B
- Diodes Inc D5V0X1BA2LP-7B 2-Pin X1-DFN1006-2
- Diodes Inc D18V0X1B2LPQ-7B, Bi-Directional TVS Diode X1-DFN1006-2
- Diodes Inc D12V0X1B2LPQ-7B, Bi-Directional TVS Diode X1-DFN1006-2
- Diodes Inc D8V0X1B2LPQ-7B, Bi-Directional TVS Diode X1-DFN1006-2
- Diodes Inc D4V7S1US2SLP-7B, Uni-Directional TVS Diode X1-DFN1006-2
