DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET, 407 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin X1-DFN

Sous-total (1 bobine de 10000 unités)*

380,00 €

(TVA exclue)

460,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 22 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
10000 +0,038 €380,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
222-2845
Référence fabricant:
DMN62D4LFB-7B
Fabricant:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

407mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

DMN

Package Type

X1-DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.1nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

0.64mm

Width

1.04 mm

Height

0.22mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The DiodesZetex N-channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

Low Input/Output Leakage

Liens connexes