Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET & Diode, 90 A, 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P03P4L04ATMA2

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220-7416
Référence fabricant:
IPD90P03P4L04ATMA2
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET & Diode

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

OptiMOS

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

137W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

5 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

125nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Height

2.41mm

Width

6.22 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon offers a wide portfolio of P-channel automotive power MOSFET in DPAK, D2PAK, TO220, TO262 and SO8 package with the technology of OptiMOS -P2 and Gen5.

P-channel - Logic Level - Enhancement mode

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