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Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 27 A, 55 V, 3-Pin TO-252 IRFR4105TRPBF

N° de stock RS:: 218-3111
Référence fabricant:: IRFR4105TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 27 A, 55 V, 3-Pin TO-252 IRFR4105TRPBF

Sous-total (1 paquet de 25 unités)*

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N° de stock RS:: 218-3111
Référence fabricant:: IRFR4105TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	27A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	45mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	68W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	0.045V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	6.73mm
	Standards/Approvals	No
	Width	2.39mm
	Height	6.22mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 27A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 68W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 0.045V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 6.73mm
	Standards/Approvals No
	Width 2.39mm
	Height 6.22mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFR4105TRPBF

The Infineon HEXFET series 55V N-channel power MOSFET. It utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This MOSFET is designed for surface mounting using vapour phase, infrared, or wave soldering technique.

Ultra Low On-Resistance

Fast Switching

Lead free

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