Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 27 A, 55 V, 3-Pin TO-252 IRFR4105TRPBF

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 25 unités)*

18,65 €

(TVA exclue)

22,575 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 10 150 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
25 +0,746 €18,65 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
218-3111
Référence fabricant:
IRFR4105TRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

27A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Forward Voltage Vf

0.045V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Width

2.39 mm

Height

6.22mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET series 55V N-channel power MOSFET. It utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This MOSFET is designed for surface mounting using vapour phase, infrared, or wave soldering technique.

Ultra Low On-Resistance

Fast Switching

Lead free

Liens connexes