Infineon 600V CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET, 109 A, 600 V, 3-Pin TO-247 IPW60R017C7XKSA1
- N° de stock RS:
- 218-3085
- Référence fabricant:
- IPW60R017C7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 218-3085
- Référence fabricant:
- IPW60R017C7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 109A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | 600V CoolMOS C7 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 240nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 446W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 21.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.21 mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 109A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series 600V CoolMOS C7 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 240nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 446W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 21.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.21 mm | ||
Length 16.13mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ series N-channel power MOSFET. The CoolMOS™ C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.
Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC)
Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns
Increased switching frequency
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