Infineon 600V CoolMOS C7 Type N-Channel MOSFET, 109 A, 600 V, 3-Pin TO-247 IPW60R017C7XKSA1
- N° de stock RS:
- 218-3085
- Référence fabricant:
- IPW60R017C7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 218-3085
- Référence fabricant:
- IPW60R017C7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 109A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | 600V CoolMOS C7 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 17mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 446W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 240nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 21.1mm | |
| Length | 16.13mm | |
| Width | 5.21 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 109A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series 600V CoolMOS C7 | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 17mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 446W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 240nC | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 21.1mm | ||
Length 16.13mm | ||
Width 5.21 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ series N-channel power MOSFET. The CoolMOS™ C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.
Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC)
Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns
Increased switching frequency
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