Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 3.7 A, 600 V, 3-Pin IPAK IPU60R2K1CEAKMA1
- N° de stock RS:
- 218-3082
- Référence fabricant:
- IPU60R2K1CEAKMA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 218-3082
- Référence fabricant:
- IPU60R2K1CEAKMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | IPAK | |
| Series | 600V CoolMOS CE | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.1Ω | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 22W | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 6.22mm | |
| Width | 2.41 mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type IPAK | ||
Series 600V CoolMOS CE | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.1Ω | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 22W | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 6.22mm | ||
Width 2.41 mm | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V CoolMOS™ CE series N-channel power MOSFET. The CoolMOS™ CE series provides all benefits of a fast switching Superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market. This MOSFET is used in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages.
Very high commutation ruggedness
Easy to use/drive
Pb-free plating, Halogen free mold compound
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