Infineon 600V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 6.8 A, 600 V N, 3-Pin TO-220 IPA60R1K0CEXKSA1

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218-3001
Référence fabricant:
IPA60R1K0CEXKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

600V CoolMOS CE

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

N

Maximum Power Dissipation Pd

61W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

16.15mm

Width

4.9 mm

Standards/Approvals

No

Length

29.75mm

Automotive Standard

No

The Infineon 600V CoolMOS™ CE series N-channel power MOSFET. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies . It is used in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages, for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV and indoor lighting.

Very high commutation ruggedness

Easy to use/drive

Pb-free plating, Halogen free mold compound

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