Infineon 500V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 7.6 A, 550 V N, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 218-2991
- Référence fabricant:
- IPA50R800CEXKSA2
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
13,20 €
(TVA exclue)
15,95 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 400 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,264 € | 13,20 € |
| 100 - 200 | 0,257 € | 12,85 € |
| 250 - 450 | 0,25 € | 12,50 € |
| 500 - 1200 | 0,244 € | 12,20 € |
| 1250 + | 0,238 € | 11,90 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 218-2991
- Référence fabricant:
- IPA50R800CEXKSA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 550V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | 500V CoolMOS CE | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 800mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.83V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 29.75mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Length | 16.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 550V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series 500V CoolMOS CE | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 800mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 0.83V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 29.75mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Length 16.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 500V CoolMOS™ CE series N-channel power MOSFET. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. This MOSFET is used in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages, for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV and indoor lighting.
Very high commutation ruggedness
Easy to use/drive
Pb-free plating, Halogen free mold compound
Liens connexes
- Infineon 500V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V N, 3-Pin TO-220 IPA50R800CEXKSA2
- Infineon 500V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 500 V N, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 500 V N, 3-Pin TO-220
- Infineon 500V CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 500 V N, 3-Pin TO-252 IPD50R500CEAUMA1
- Infineon CoolMOS Type N-Channel MOSFET 500 V N, 3-Pin TO-220 IPAN50R500CEXKSA1
- Infineon CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET 550 V, 3-Pin TO-220 IPP50R380CEXKSA1
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET 550 V Enhancement, 3-Pin TO-220
