Références fabricant

Infineon CoolMOS 7 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

N° de stock RS:: 217-2560
Référence fabricant:: IPP60R210CFD7XKSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon CoolMOS 7 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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Unité	Prix par unité	le tube*
50 - 50	1,219 €	60,95 €
100 - 200	1,097 €	54,85 €
250 +	1,036 €	51,80 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 217-2560
Référence fabricant:: IPP60R210CFD7XKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-220
	Series	CoolMOS 7
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	210mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	64W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4.57 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.36mm
	Height	29.95mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-220
	Series CoolMOS 7
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 210mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 64W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4.57 mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.36mm
	Height 29.95mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPP60R210CFD7XKSA1

The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.

Ultra-fast body diode

Low gate charge

Best-in-class reverse recovery charge(Qrr)

Improved MOSFET reverse diode dv/dt and diF/dtruggedness

Lowest FOMRDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss

Best-in-class RDS(on)in SMD and THD packages

Infineon CoolMOS 7 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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