Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 165 A, 80 V Enhancement, 8-Pin HSOG IAUS165N08S5N029ATMA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

18,23 €

(TVA exclue)

22,06 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 1 675 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 203,646 €18,23 €
25 - 453,064 €15,32 €
50 - 1202,884 €14,42 €
125 - 2452,666 €13,33 €
250 +2,48 €12,40 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
214-8992
Référence fabricant:
IAUS165N08S5N029ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

165A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

OptiMOS 5

Package Type

HSOG

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon range of OptiMOS-5 Mosfet has a range of energy efficient MOSFET transistors. OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

100% Avalanche tested

It has 175°C operating temperature

Liens connexes