Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 165 A, 80 V Enhancement, 8-Pin HSOG
- N° de stock RS:
- 214-8991
- Référence fabricant:
- IAUS165N08S5N029ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1800 + | 1,133 € | 2 039,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-8991
- Référence fabricant:
- IAUS165N08S5N029ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 165A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Package Type | HSOG | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 165A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Package Type HSOG | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon range of OptiMOS-5 Mosfet has a range of energy efficient MOSFET transistors. OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
100% Avalanche tested
It has 175°C operating temperature
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