Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 176 A, 25 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ014NE2LS5IFATMA1
- N° de stock RS:
- 214-8984
- Référence fabricant:
- BSZ014NE2LS5IFATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 214-8984
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- BSZ014NE2LS5IFATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 176A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | TSDSON | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 69W | |
| Forward Voltage Vf | 0.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.1mm | |
| Length | 5.35mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 176A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type TSDSON | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 69W | ||
Forward Voltage Vf 0.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.1mm | ||
Length 5.35mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon range offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and Strong IRFET families. With the OptiMOS-5 25V and 30V product family, Infineon offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in standby and full operation. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Monolithic integrated Schottky like diode
100% avalanche tested
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