Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 13 A, 34 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC0996NSATMA1

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214-8979
Référence fabricant:
BSC0996NSATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

34V

Series

OptiMOS

Package Type

TDSON

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.2nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.35 mm

Standards/Approvals

No

Length

5.49mm

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

The Infineon range of OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

It comes with Improved switching behaviour

100% Avalanche tested

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