Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 13 A, 34 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC0996NSATMA1
- N° de stock RS:
- 214-8979
- Référence fabricant:
- BSC0996NSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 50 unités)*
25,35 €
(TVA exclue)
30,65 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 13 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,507 € | 25,35 € |
| 100 - 200 | 0,345 € | 17,25 € |
| 250 - 450 | 0,325 € | 16,25 € |
| 500 - 1200 | 0,30 € | 15,00 € |
| 1250 + | 0,279 € | 13,95 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-8979
- Référence fabricant:
- BSC0996NSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 34V | |
| Series | OptiMOS | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.2nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5.49mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 34V | ||
Series OptiMOS | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.2nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5.49mm | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon range of OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
It comes with Improved switching behaviour
100% Avalanche tested
Liens connexes
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 34 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS-TM7 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8-34 IAUCN04S7L014ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM7 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8-34 IAUCN08S7N034ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM7 Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8-34 IAUCN08S7N024ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM7 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8-34 IAUCN04S7N012ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM7 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8-34 IAUCN04S7N015ATMA1
- Infineon OptiMOS-TM7 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8-34 IAUCN04S7N009ATMA1
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON