Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 13 A, 34 V Enhancement, 8-Pin TDSON

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

1 330,00 €

(TVA exclue)

1 610,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 06 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,266 €1 330,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
214-8978
Référence fabricant:
BSC0996NSATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

34V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.2nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5.49mm

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Width

6.35 mm

Automotive Standard

No

The Infineon range of OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

It comes with Improved switching behaviour

100% Avalanche tested

Liens connexes