onsemi NTP Type N-Channel MOSFET, 101 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 214-8912
- Référence fabricant:
- NTP7D3N15MC
- Fabricant:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,324 € | 116,20 € |
| 100 - 100 | 2,235 € | 111,75 € |
| 150 + | 2,205 € | 110,25 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-8912
- Référence fabricant:
- NTP7D3N15MC
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 101A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | NTP | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.4W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.53mm | |
| Width | 15.75 mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 101A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series NTP | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.4W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.53mm | ||
Width 15.75 mm | ||
Height 4.83mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor NTP series is n-channel MOSFET with shielded gate MOSFET technology which has drain to source voltage of 150 V. It is typically used in synchronous rectification and micro solar inverter and etc.
Pb−Free
RoHS compliant
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