Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V, 3-Pin TO-263

N° de stock RS:: 214-4469
Référence fabricant:: IRL520NSTRLPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V, 3-Pin TO-263

Actuellement indisponible

Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.

N° de stock RS:: 214-4469
Référence fabricant:: IRL520NSTRLPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	180mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRL520NSTRLPBF

This Infineon HEXFET Power MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design provides reliable and efficient device

It is fully avalanche rated

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V, 3-Pin TO-263

Liens connexes