Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 700 V N, 3-Pin TO-220 IPAN70R450P7SXKSA1
- N° de stock RS:
- 214-4359
- Référence fabricant:
- IPAN70R450P7SXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4359
- Référence fabricant:
- IPAN70R450P7SXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Series | 700V CoolMOS P7 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 450mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 22.7W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 13.1nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 4.85mm | |
| Width | 16.15 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.68mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Series 700V CoolMOS P7 | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 450mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 22.7W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13.1nC | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 4.85mm | ||
Width 16.15 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.68mm | ||
Automotive Standard No | ||
The 700V Cool MOS P7 super junction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains.
It supports less magnetic size with lower BOM costs
It has high ESD ruggedness
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