Infineon 600V CoolMOS CFD7 N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V P, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 214-4351
- Référence fabricant:
- IPA60R170CFD7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4351
- Référence fabricant:
- IPA60R170CFD7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 170mΩ | |
| Channel Mode | P | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 26W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.68mm | |
| Width | 16.15mm | |
| Height | 4.85mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series 600V CoolMOS CFD7 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 170mΩ | ||
Channel Mode P | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 26W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.68mm | ||
Width 16.15mm | ||
Height 4.85mm | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon 600V Cool MOS CFD7 has integrated fast body diode and comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behaviour and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition
It has high reliability for resonant topologies
It has best-in-class hard commutation ruggedness
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