Vishay SiR680LDP Type N-Channel MOSFET, 130 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR680LDP-T1-RE3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

12,92 €

(TVA exclue)

15,635 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 5 720 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 452,584 €12,92 €
50 - 1202,326 €11,63 €
125 - 2451,86 €9,30 €
250 - 4951,524 €7,62 €
500 +1,294 €6,47 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
210-5003
Référence fabricant:
SIR680LDP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

130A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

SiR680LDP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

90nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Width

5.26 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type with 130 A drain current.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes