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Vishay SiR680LDP Type N-Channel MOSFET, 130 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR680LDP-T1-RE3

N° de stock RS:: 210-5003
Référence fabricant:: SIR680LDP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiR680LDP Type N-Channel MOSFET, 130 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR680LDP-T1-RE3

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

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N° de stock RS:: 210-5003
Référence fabricant:: SIR680LDP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	130A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	SO-8
	Series	SiR680LDP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.33mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	90nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.12mm
	Length	6.25mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 130A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type SO-8
	Series SiR680LDP
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.33mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 90nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.12mm
	Length 6.25mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SIR680LDP-T1-RE3

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type with 130 A drain current.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

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