Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 3 A, 30 V Enhancement, 8-Pin VSONP CSD17575Q3
- N° de stock RS:
- 208-8480
- Référence fabricant:
- CSD17575Q3
- Fabricant:
- Texas Instruments
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
10,82 €
(TVA exclue)
13,09 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 17 210 unité(s) expédiée(s) à partir du 21 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,082 € | 10,82 € |
| 50 - 90 | 1,06 € | 10,60 € |
| 100 - 240 | 0,811 € | 8,11 € |
| 250 - 990 | 0,802 € | 8,02 € |
| 1000 + | 0,719 € | 7,19 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 208-8480
- Référence fabricant:
- CSD17575Q3
- Fabricant:
- Texas Instruments
Spécifications
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Texas Instruments | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | NexFET | |
| Package Type | VSONP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 108W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.4mm | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Texas Instruments | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series NexFET | ||
Package Type VSONP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 108W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.4mm | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard No | ||
-
-
Liens connexes
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin VSONP
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin VSONP CSD17484F4
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 16 V Enhancement, 8-Pin VSONP
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin VSONP
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin VSONP
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin VSONP
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 16 V Enhancement, 8-Pin VSONP CSD16403Q5A
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin VSONP CSD18543Q3A