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Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V Enhancement, 8-Pin VSONP

N° de stock RS:: 208-8483
Référence fabricant:: CSD19531Q5A
Fabricant:: Texas Instruments

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V Enhancement, 8-Pin VSONP

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 852,50 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	0,741 €	1 852,50 €

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N° de stock RS:: 208-8483
Référence fabricant:: CSD19531Q5A
Fabricant:: Texas Instruments

Spécifications

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Texas Instruments
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	NexFET
	Package Type	VSONP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Minimum Operating Temperature	-50°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	37nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.9mm
	Width	4.8mm
	Length	5.9mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Texas Instruments
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series NexFET
	Package Type VSONP
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Minimum Operating Temperature -50°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.9mm
	Width 4.8mm
	Length 5.9mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

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