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Semiconductors
Discrete Semiconductors
MOSFETs
Silicon N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4 Toshiba TK090Z65Z,S1F(O
N° de stock RS:
206-9728
Référence fabricant:
TK090Z65Z,S1F(O
Fabricant:
Toshiba
Documentation technique (1)
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206-9728
Référence fabricant:
TK090Z65Z,S1F(O
Fabricant:
Toshiba
Législations et de normes
Détails du produit
Spécifications
Déclaration de conformité RoHS
The Toshiba silicon N-channel MOSFET having high-speed switching properties with lower capacitance. It is mainly used in switching power supplies.
Low drain-source on-resistance 0.075 ?
Storage temperature -55 to 150°C
Attribut
Valeur
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Package Type
TO-247-4
Series
TK090Z65Z
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
0.09 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Transistor Material
Silicon
Number of Elements per Chip
1