DiodesZetex DMTH43 Type N-Channel MOSFET, 24 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI3333
- N° de stock RS:
- 206-0163
- Référence fabricant:
- DMTH43M8LFG-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
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| 2000 + | 0,491 € | 982,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 206-0163
- Référence fabricant:
- DMTH43M8LFG-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerDI3333 | |
| Series | DMTH43 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 40.1nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.62W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.25mm | |
| Height | 0.75mm | |
| Width | 3.25 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerDI3333 | ||
Series DMTH43 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40.1nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.62W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.25mm | ||
Height 0.75mm | ||
Width 3.25 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
The DiodesZetex 40V,8 pin N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20V with 2.62 W thermal power dissipation.
Low RDS(ON) – ensures on-state losses are minimized
Rated to +175°C ideal for high ambient temperature environment
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