DiodesZetex Dual DMN3401 2 Type N-Channel MOSFET, 800 mA, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 DMN3401LDW-7

Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

204,00 €

(TVA exclue)

246,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 13 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 - 60000,068 €204,00 €
9000 - 210000,066 €198,00 €
24000 - 420000,065 €195,00 €
45000 +0,063 €189,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
206-0084
Référence fabricant:
DMN3401LDW-7
Fabricant:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

800mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-363

Series

DMN3401

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

700mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

0.35W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.3 mm

Height

0.95mm

Length

2.15mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Pays d'origine :
CN
The DiodesZetex 30V dual N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20 V with 0.29 W thermal power dissipation.

Low on-resistance

Low input capacitance

Liens connexes