DiodesZetex Dual DMN3401 2 Type N-Channel MOSFET, 800 mA, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 DMN3401LDW-7
- N° de stock RS:
- 206-0084
- Référence fabricant:
- DMN3401LDW-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Offre groupée disponible
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
204,00 €
(TVA exclue)
246,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 13 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,068 € | 204,00 € |
| 9000 - 21000 | 0,066 € | 198,00 € |
| 24000 - 42000 | 0,065 € | 195,00 € |
| 45000 + | 0,063 € | 189,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 206-0084
- Référence fabricant:
- DMN3401LDW-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 800mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Series | DMN3401 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 700mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.35W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.3 mm | |
| Height | 0.95mm | |
| Length | 2.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 800mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-363 | ||
Series DMN3401 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 700mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.35W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.3 mm | ||
Height 0.95mm | ||
Length 2.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- Pays d'origine :
- CN
The DiodesZetex 30V dual N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20 V with 0.29 W thermal power dissipation.
Low on-resistance
Low input capacitance
Liens connexes
- Diodes Inc DMN3401 Dual N-Channel MOSFET 30 V, 6-Pin SOT-363 DMN3401LDW-7
- Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin SOT-363 DMN2710UDW-7
- Diodes Inc DMC3401 Dual N/P-Channel MOSFET 800 mA 6-Pin SOT-363 DMC3401LDW-7
- Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET 30 V, 6-Pin SOT-363 DMN63D8LDW-7
- Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET 60 V, 6-Pin SOT-363 DMN65D8LDW-7
- Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET 60 V, 6-Pin SOT-363 DMN61D9UDWQ-7
- Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET 60 V, 6-Pin SOT-363 DMN66D0LDW-7
- Diodes Inc DMN Plastic N-Channel MOSFET 30 V, 6-Pin SOT-363 DMN3401LDWQ-7
