Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

3 093,00 €

(TVA exclue)

3 744,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +1,031 €3 093,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
134-9161
Référence fabricant:
SIR680DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

69.5nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

5.26 mm

Height

1.12mm

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes