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Vishay SiHA105N60EF N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA105N60EF-GE3

N° de stock RS:: 204-7201
Référence fabricant:: SIHA105N60EF-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiHA105N60EF N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA105N60EF-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 204-7201
Référence fabricant:: SIHA105N60EF-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-220
	Series	SiHA105N60EF
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	102mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	53nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Power Dissipation Pd	35W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4.7mm
	Standards/Approvals	No
	Height	13.8mm
	Length	10.3mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-220
	Series SiHA105N60EF
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 102mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 53nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Power Dissipation Pd 35W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4.7mm
	Standards/Approvals No
	Height 13.8mm
	Length 10.3mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHA105N60EF-GE3

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er)

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