onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 29 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL160N120SC1

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

12,64 €

(TVA exclue)

15,30 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 8 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
  • Plus 304 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 186,32 €12,64 €
20 - 1985,45 €10,90 €
200 +4,72 €9,44 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
202-5707
Référence fabricant:
NTHL160N120SC1
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NTH

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

119W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

15.87mm

Height

20.82mm

Width

4.82 mm

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 17 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC/DC Converter, boost inverter.

160mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant

Liens connexes