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onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTHL040N120SC1

N° de stock RS:: 202-5705
Référence fabricant:: NTHL040N120SC1
Fabricant:: onsemi

onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTHL040N120SC1

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N° de stock RS:: 202-5705
Référence fabricant:: NTHL040N120SC1
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Series	NTH
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	56mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	106nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	348W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	20.25mm
	Height	15.87mm
	Width	4.82 mm
	Automotive Standard	No

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	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Series NTH
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 56mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 348W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 20.25mm
	Height 15.87mm
	Width 4.82 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - NTHL040N120SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L

The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 60 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC/DC Converter, boost inverter.

40mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant

onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 60 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTHL040N120SC1

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Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L

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