onsemi NTB N-Channel MOSFET, 201 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NTB004N10G
- N° de stock RS:
- 202-5688
- Référence fabricant:
- NTB004N10G
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
41,42 €
(TVA exclue)
50,12 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 1 835 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 8,284 € | 41,42 € |
| 50 - 95 | 7,14 € | 35,70 € |
| 100 + | 6,192 € | 30,96 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 202-5688
- Référence fabricant:
- NTB004N10G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 201A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | NTB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.82mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 175nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 340W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | Pb-Free and are RoHS | |
| Length | 10.63mm | |
| Width | 4.83mm | |
| Height | 15.88mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 201A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series NTB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.82mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 175nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 340W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals Pb-Free and are RoHS | ||
Length 10.63mm | ||
Width 4.83mm | ||
Height 15.88mm | ||
Automotive Standard No | ||
The ON Semiconductor Power MOSFET runs with 201 Ampere and 100 Volts. It can be used in Hot Swap in 48 V systems.
Low drain to source on resistance
High current capability
Wide safe operating area
Pb free
Halogen free
RoHS compliant
Liens connexes
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NTB004N10G
- onsemi NTB N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB N-Channel MOSFET & Diode 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 NTBS9D0N10MC
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG040N120SC1
- onsemi NTB N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBGS4D1N15MC