Références fabricant

STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET Modules, 33 A, 1.2 kV Depletion, 7-Pin H2PAK-7 SCTH40N120G2V7AG

N° de stock RS:: 202-5482
Référence fabricant:: SCTH40N120G2V7AG
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET Modules, 33 A, 1.2 kV Depletion, 7-Pin H2PAK-7 SCTH40N120G2V7AG

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N° de stock RS:: 202-5482
Référence fabricant:: SCTH40N120G2V7AG
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Series	SCT
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET Modules
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	33 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	1.2 kV
	Channel Mode	Depletion
	Pin Count	7
	Package Type	H2PAK-7
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	0.105 Ω
	Mount Type	Surface

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Series SCT
	Channel Type N
	Product Type MOSFET Modules
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 33 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 1.2 kV
	Channel Mode Depletion
	Pin Count 7
	Package Type H2PAK-7
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 0.105 Ω
	Mount Type Surface

Datasheet - SCTH40N120G2V7AG

The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

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