Références fabricant

STMicroelectronics SiC MOSFET N-Channel MOSFET, 20 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 SCT20N120H

N° de stock RS:: 201-4416
Référence fabricant:: SCT20N120H
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SiC MOSFET N-Channel MOSFET, 20 A, 1.2 kV Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 SCT20N120H

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 201-4416
Référence fabricant:: SCT20N120H
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1.2kV
	Package Type	H2PAK-2
	Series	SiC MOSFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	203mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	45nC
	Maximum Power Dissipation Pd	150W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	4.7mm
	Standards/Approvals	No
	Length	15.8mm
	Height	10.4mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV
	Package Type H2PAK-2
	Series SiC MOSFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 203mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC
	Maximum Power Dissipation Pd 150W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 4.7mm
	Standards/Approvals No
	Length 15.8mm
	Height 10.4mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SCT20N120

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SiC material has outstanding thermal properties.

Very tight variation of on-resistance vs. temperature

Very high operating junction temperature capability

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.