STMicroelectronics SCT025H120G3AG Type N, Type N-Channel MOSFET, 55 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT025H120G3AG

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214-951
Référence fabricant:
SCT025H120G3AG
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N, Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

SCT025H120G3AG

Package Type

H2PAK-7

Mount Type

Surface, Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Forward Voltage Vf

2.7V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.8mm

Standards/Approvals

AEC-Q101, RoHS

Length

15.25mm

Width

10.4 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

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