Références fabricant

STMicroelectronics SCT025H120G3AG Type N, Type N-Channel MOSFET, 55 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT025H120G3AG

N° de stock RS:: 214-951
Référence fabricant:: SCT025H120G3AG
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SCT025H120G3AG Type N, Type N-Channel MOSFET, 55 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT025H120G3AG

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 214-951
Référence fabricant:: SCT025H120G3AG
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	H2PAK-7
	Series	SCT025H120G3AG
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	27mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	2.7V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	73nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	15.25mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101, RoHS
	Width	10.4mm
	Height	4.8mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type H2PAK-7
	Series SCT025H120G3AG
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 27mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 2.7V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 73nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 15.25mm
	Standards/Approvals AEC-Q101, RoHS
	Width 10.4mm
	Height 4.8mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SCT025H120G3AG

Pays d'origine :: CN

The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

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