onsemi NVMYS010N04CL Type N-Channel MOSFET, 38 A, 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NVMYS010N04CLTWG

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N° de stock RS:
195-2546
Référence fabricant:
NVMYS010N04CLTWG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

38A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

LFPAK

Series

NVMYS010N04CL

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

17.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

28W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.3nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

4.25mm

Height

1.15mm

Length

5mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK4 Package, Industry Standard

PPAP Capable

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