Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA100N60E-GE3

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Référence fabricant:
SIHA100N60E-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.1Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

4.7 mm

Height

15.3mm

Length

10.3mm

Automotive Standard

No

E Series Power MOSFET.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

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