Références fabricant

Vishay SiHG21N80AE Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247

N° de stock RS:: 188-4876
Référence fabricant:: SIHG21N80AE-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiHG21N80AE Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 25 unités)*

89,925 €

(TVA exclue)

108,80 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

En stock

Plus 25 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le tube*
25 - 25	3,597 €	89,93 €
50 - 100	3,381 €	84,53 €
125 +	3,058 €	76,45 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 188-4876
Référence fabricant:: SIHG21N80AE-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	17.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-247
	Series	SiHG21N80AE
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	235mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	48nC
	Maximum Power Dissipation Pd	32W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	15.87mm
	Width	5.31 mm
	Standards/Approvals	No
	Height	20.82mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 17.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-247
	Series SiHG21N80AE
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 235mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC
	Maximum Power Dissipation Pd 32W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 15.87mm
	Width 5.31 mm
	Standards/Approvals No
	Height 20.82mm
	Automotive Standard No

Datasheet SIHG21N80AE-GE3

E Series Power MOSFET.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Vishay SiHG21N80AE Type N-Channel MOSFET, 17.4 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Liens connexes