onsemi NTMTS001N06CL Type N-Channel MOSFET, 398.2 A, 60 V Enhancement, 8-Pin DFN NTMTS001N06CLTXG
- N° de stock RS:
- 186-1322
- Référence fabricant:
- NTMTS001N06CLTXG
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
7,02 €
(TVA exclue)
8,50 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 708 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,51 € | 7,02 € |
| 20 - 198 | 3,025 € | 6,05 € |
| 200 - 998 | 2,62 € | 5,24 € |
| 1000 - 1998 | 2,305 € | 4,61 € |
| 2000 + | 2,10 € | 4,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 186-1322
- Référence fabricant:
- NTMTS001N06CLTXG
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 398.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | DFN | |
| Series | NTMTS001N06CL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.05mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 165nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.15mm | |
| Length | 8.1mm | |
| Width | 8 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 398.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type DFN | ||
Series NTMTS001N06CL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.05mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 165nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.15mm | ||
Length 8.1mm | ||
Width 8 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
Non conforme
Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
Power 88 Package, Industry Standard
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free
Liens connexes
- onsemi N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin DFNW8 NTMTS001N06CLTXG
- onsemi N-Channel MOSFET 60 V, 8-Pin DFNW8 NVMTS0D7N06CLTXG
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin DFNW8 NVMTS0D6N04CTXG
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin DFNW8 NVMTS0D7N04CTXG
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin DFNW8 NVMTS0D4N04CLTXG
- onsemi N-Channel MOSFET 150 V, 8-Pin DFNW8 NTMTS6D0N15MC
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin DFNW8 NVMTS0D7N04CLTXG
- onsemi N-Channel MOSFET 150 V, 8-Pin DFNW8 NVMTS4D3N15MC
