Références fabricant

onsemi NVMFS5H663NL N-Channel MOSFET, 67 A, 60 V Enhancement, 5-Pin DFN

N° de stock RS:: 185-8153
Référence fabricant:: NVMFS5H663NLT1G
Fabricant:: onsemi

onsemi NVMFS5H663NL N-Channel MOSFET, 67 A, 60 V Enhancement, 5-Pin DFN

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 185-8153
Référence fabricant:: NVMFS5H663NLT1G
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	67A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	DFN
	Series	NVMFS5H663NL
	Mount Type	Surface
	Pin Count	5
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	63W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	5.1mm
	Width	6.1mm
	Height	1.05mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 67A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type DFN
	Series NVMFS5H663NL
	Mount Type Surface
	Pin Count 5
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 63W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 5.1mm
	Width 6.1mm
	Height 1.05mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet NVMFS5H663NLT1G

Non conforme

Pays d'origine :: MY

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

PPAP Capable

These Devices are Pb−Free

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