DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET, 82 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060
- N° de stock RS:
- 182-6941
- Référence fabricant:
- DMTH43M8LPS-13
- Fabricant:
- DiodesZetex
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
942,50 €
(TVA exclue)
1 140,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 28 juin 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,377 € | 942,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 182-6941
- Référence fabricant:
- DMTH43M8LPS-13
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 82A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerDI5060 | |
| Series | DMT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.05mm | |
| Length | 6mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 82A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerDI5060 | ||
Series DMT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.05mm | ||
Length 6mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
This new generation N-Channel Enhancement Mode MOSFET is designed to minimize RDS(ON), yet maintain superior switching performance.
Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature Environments
100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable And Robust End Application
Low RDS(ON) – Minimizes On-State Losses
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Applications
BLDC Motors
DC-DC Converters
Load Switch
Liens connexes
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060 DMTH43M8LPS-13
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 8-Pin PowerDI5060-8 DMT6011LPDW-13
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin TO-252
- DiodesZetex DMT Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin TO-252
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8