Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 60 V
- N° de stock RS:
- 180-8716
- Référence fabricant:
- IRLZ14SPBF
- Fabricant:
- Vishay
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- N° de stock RS:
- 180-8716
- Référence fabricant:
- IRLZ14SPBF
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Mount Type | Through Hole, Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.2Ω | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 43W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Mount Type Through Hole, Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.2Ω | ||
Maximum Power Dissipation Pd 43W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay IRLZ14S is a N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 60V.The gate to source voltage(VGS) is 10V. It is having D2PAK (TO-263) package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.20ohms at 5VGS.
Advanced process technology
Surface mount
175 °C operating temperature
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