Vishay Single Type N-Channel Power MOSFET, 10 A, 400 V IRF740ALPBF
- N° de stock RS:
- 180-8304
- Référence fabricant:
- IRF740ALPBF
- Fabricant:
- Vishay
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| 250 + | 1,38 € | 69,00 € |
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- N° de stock RS:
- 180-8304
- Référence fabricant:
- IRF740ALPBF
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 400V | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.55Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 4.83mm | |
| Width | 10.67 mm | |
| Length | 9.65mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 400V | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.55Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 4.83mm | ||
Width 10.67 mm | ||
Length 9.65mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay IRF740AL is a N-channel power MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 400V.The gate to source voltage(VGS) is 30V. It is having D2PAK (TO-263)and I2PAK (TO-262) package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.55ohms at 10VGS. Maximum drain current 10A.
Low gate charge Qg results in simple drive requirement
Improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness
Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current