Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 25 A, 250 V Enhancement, 8-Pin TDSON

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

7 540,00 €

(TVA exclue)

9 125,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 14 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +1,508 €7 540,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
178-7486
Référence fabricant:
BSC600N25NS3GATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS 3

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.35 mm

Height

1.1mm

Length

6.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Statut RoHS : Exempté

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Liens connexes