onsemi FDMC Type N-Channel MOSFET, 22 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PQFN FDMC007N08LCDC

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178-4558
Référence fabricant:
FDMC007N08LCDC
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

22A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PQFN

Series

FDMC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31nC

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.4 mm

Height

0.75mm

Standards/Approvals

No

Length

3.4mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
PH
This N-Channel MV MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimise on on-state resistance and yet maintain in class soft body diode

Shielded Gate MOSFET Technology

Max rDS(on) = 6.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 21 A

Max rDS(on) = 11.1 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 17 A

5 V Drive Capable

50% lower Qrr than other MOSFET suppliers

Lowers switching noise/EMI

MSL1 robust package design

Dualcool capable package

Applications

Primary DC−DC MOSFET

Synchronous Rectifier in DC−DC and AC−DC

Motor Drive

Solar

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