onsemi Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET, 29 A, 40 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFD5C478NLT1G

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178-4470
Référence fabricant:
NVMFD5C478NLT1G
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

14.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

23W

Minimum Operating Temperature

175°C

Forward Voltage Vf

0.84V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.3nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

-55°C

Width

6.1 mm

Height

1.05mm

Length

5.1mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
MY
Automotive Power MOSFET in a 5 x 6 mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection.Suitable for automotive applications.

Features

Low on resistance

High current capability

PPAP capable

NVMFD5C478NLWF - Wettable Flanks Product

Benefits

Minimal conduction losses

Robust load performance

Safeguard against voltage overstress failures

Suitable for automotive applications

Enhanced Optical Inspection

Applications

Solenoid driver

Low side / high side driver

End Products

Automotive engine controllers

Antilock braking systems

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