onsemi Dual 2 N-Channel Power MOSFET, 68 A, 60 V Enhancement, 8-Pin DFN

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N° de stock RS:
178-4301
Référence fabricant:
NVMFD5C668NLT1G
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

68A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

57.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

0.85V

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual

Width

6.1mm

Height

1.05mm

Standards/Approvals

No

Length

5.1mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
MY
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

NVMFD5C668NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection

PPAP Capable

These Devices are Pb−Free

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