STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

2 028,00 €

(TVA exclue)

2 454,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 1 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 18 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +2,028 €2 028,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
168-6679
Référence fabricant:
STB100NF04T4
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-263

Series

STripFET II

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.4mm

Standards/Approvals

No

Height

4.6mm

Width

9.35 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
MY

N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics


Liens connexes

Recently viewed