IXYS PolarHVTM HiPerFET Type N-Channel MOSFET, 70 A, 500 V Enhancement, 3-Pin ISOPLUS264

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168-4575
Référence fabricant:
IXFL100N50P
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

70A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Series

PolarHVTM HiPerFET

Package Type

ISOPLUS264

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

625W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

240nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.21 mm

Length

20.29mm

Standards/Approvals

No

Height

26.42mm

Automotive Standard

No

N-Channel Power MOSFET, IXYS HiperFET PolarHV Series


A range of IXYS PolarHV™ series N-channel Enhancement mode Power MOSFET with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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