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IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET, 70 A, 300 V Enhancement, 3-Pin ISOPLUS247 IXFR140N30P

N° de stock RS:: 125-8045
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-392
Référence fabricant:: IXFR140N30P
Fabricant:: IXYS

IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET, 70 A, 300 V Enhancement, 3-Pin ISOPLUS247 IXFR140N30P

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N° de stock RS:: 125-8045
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-392
Référence fabricant:: IXFR140N30P
Fabricant:: IXYS

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	IXYS
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	70A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	300V
	Package Type	ISOPLUS247
	Series	Polar HiPerFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	26mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	300W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	185nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	21.34mm
	Standards/Approvals	No
	Length	16.13mm
	Automotive Standard	No

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	Marque IXYS
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 70A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 300V
	Package Type ISOPLUS247
	Series Polar HiPerFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 26mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 300W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 185nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 21.34mm
	Standards/Approvals No
	Length 16.13mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: PH

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

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