Références fabricant

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 2.7 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN8601

N° de stock RS:: 166-1613
Référence fabricant:: FDN8601
Fabricant:: onsemi

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 2.7 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN8601

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 166-1613
Référence fabricant:: FDN8601
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SOT-23
	Series	PowerTrench
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	183mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	1.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	1.4mm
	Width	2.92mm
	Height	940μm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SOT-23
	Series PowerTrench
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 183mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 1.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 1.4mm
	Width 2.92mm
	Height 940μm
	Automotive Standard No

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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